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<正> 一、前言近十年来盛行用激光散斑的光学测量和图象处理法的研究。在光学测量时多少存在着一些光散射的物体,在采用激光光源测量时,肯定会产生散斑的现象。由于散斑的测量方法具有光学系统结构简单,不用高分辨率记录材料就能检测出清晰的图象,所以正被广泛用于各
<正> 本文介绍的最近计算机控制的坐标测量技术是将数字式多坐标测量仪,特刖是三坐标测量机(KMM)与高效率的计算机和适应课题的可变程序相结合,使计算机控制的坐标测量技术(KMT)成为高效能的长度测量仪器。一、计算机控制的坐标测量技术的使用范围
<正> 一、前言近年来,三坐标测量机迅速普及,为此用户对于作为测量机本身的性能之一的测量误差,也逐年提出更高的要求。三坐标测量机本来就是违背阿贝原则的,这是无法避免的。虽说用类似游标原理组合而成的三轴的测量机等,开始试制时的测量误差充其量为正负几十微米。但是随着构成三坐标测量机的机械零件的研制的进步以及测量装置的制造技术的提高,三坐
<正> 测微丝杆位移平稳性是标准规定的测微量具工作质量的性能之一。但是,到目前为止,还是依靠检查员的手的一种主观方法来评定平稳性。这就不可能对丝杆整个运动范围的位移平稳性作出准确地评价,因为丝杆的不连续转动不超过180°的范围。采用主观检查法是由于标准中对位移平稳性没有具体规定,仅仅指出
<正> 加工面的表面光洁度是决定单位面积信息量的重要因素之一。例如它影响磁带、磁鼓以及 LSI 用的衬底等的可靠性、稳定性。在摩擦、润滑、接触电阻等的研究中,表面加工状态及表面光洁度的分布等也是重要的参数。因此测量表面光洁度和评价表面的统计性质,成为许多有关方面应用的重要课题。本文
<正> 由于机械加工技术的进步,人们已经能够加工出具有细微表面形状的加工面了。此外,随着大规模集成电路集成度的增高,就需要制造精密的印刷电路。于是对这些细微的表面形状与精密印刷线路板的保护胶或导电胶膜厚度的测量要求也渐趋提高。为了测量表面细微形状与膜厚,已经使用了带有微小半径测头的高倍率触针式表面光洁度检测仪和利用光的干涉
<正> 瑞典皇家工艺研究院的 Arne Novak 博士最近研制成功一种能够对正在被车削的工件进行无接触自动测量的激光测径仪。此项发明被认为是加工过程自动检测技术的最新进展。该装置乍看起来,形如一把游标卡尺,但其两个测臂离开工件而不与之接触。这一对测臂实际上是两个光学护罩,有两条精确平行的激光束沿其中传播。示意图中示出了该装置用
<正> 部件的涂层是使表面具有耐蚀性、耐磨性、导热性和导电性等性能的一个重要措施。除保证对功能参数的特殊要求外,由于经济缘故,特别是对贵金属涂层,要求最薄的厚度,因此需要测量其厚度。对此,采用涂层厚度测量法有利于保证质量,以及提高经济效益。由于为数众多的各种镀层一基体的组合和涂层厚度的不同测量,这样只用一台测量仪或
<正> 1.前言目前,实用性的非接触位移计有静电电容式、涡流式、光波式和声波式。其中静电电容式非接触位移计可以用来测量导体和半导体。由于这利:测量不受导体或半导体固有性质和表面状态的影响,容易获得高精度效果,所以静电电容式非接触位移计应用相当广泛。在实际工作中,用它可以测量铁、铝和黄铜等金属,
<正> 在许多大批量生产的工业部门,测量和检验工作的自动化是非常迫切的任务。下面介绍一种检验大批量生产零件的自动测量装置,该装置基于利用视频信号线性阵列(ЛФВС)的差分方法。图1所示为形成零件尺寸信息的光学原理图。借助物镜2和两块平面镜1把尺寸为 D_1的被测零件3投影到屏4上。平面镜向投影系统光轴方向
<正> 研究表面形状乃是全息干涉术的用途之一。但是,已知的方法都需要浸没介质,且准确度不高。本文介绍一种抛光表面形状的检验方法,不需要一般全息装置上的浸没介质,其准确度可达0.03μm。一般采用检验平晶~*来检验表面(例如,以表面声波来工作的装置中的基板)的抛光质量。这种方法非常简便,可是,往往由于检验
<正> 一、基础本文主要对辐射温度计或辐射高温计的非接触式测温作一介绍。如图1所示,辐射温度计吸收的辐射通量组成部分是: (1)外界辐射体的辐射被被测对象反射的部分,以反射率ξ表示。(2)辐射被被测对象吸收而又发射的部分,以吸收率α表示。(3)辐射透过被测对象的部分,以透射比τ表示。
<正> 在低温中,半导体 pn 结的电容和温度之间有很密切的关系。利用这种特性,可以制成新型的电容温度计。这种电容温度计的特点之一是使用简便,而且能作高精度的温度测量和控制。由于它的灵敏度和相对灵敏度都比较高,如果能够研制出不受磁场影响的温度计结构,那么,这种新型的温度计就可能成为大有希望的极低温用的电容温度计。为了使磁场的影响
<正> 一、前言将薄膜工艺用于制作压力传感器,是当前在长时稳定且结构简单的压力传感器方面进行探索的最新成果,它能够保证以很高的精确度将机械量"压力"转换成为电信号。目前人们还只是使用隔膜的机械限值作为确定精确度的因素。不过,这意味着对薄膜结构的电性与机械特性,都有极为严格的要求。下面主要介绍
<正> 一、前言探漏的一个主要问题是难以知道真空系统中何时确实存在漏泄。这个问题对于无法用外部渗氦探漏的(复杂或者扩充的)系统更为突出。抽真空后,真空系统中出现氮是该系统存在一处或多处漏泄的可靠标志。虽然目前有若干种测试真空系统中氮的技术(质谱仪、Var-ian 冷阴极放电规),但这些技术往往化费多
<正> 1.前言为了精确地测量电阻,可采用多种类型的电桥。其中手动复零电桥使用不太方便,另一种可测量电阻上的误差电压的电桥,但它不是被测电阻的线性函数。本文介绍的电路,将提供一个与被测电阻R_X 及标准电阻 R_a 的差值成比例的电压。如图1所示,接入 R_X 作为具有恒定输入电压的放大器的反馈电阻,从而在 R_X 上取得线性电压。此处
<正> 经常需要测量流经小管径(即管道内径小于50mm)的工作介质流量。在这些情况下,由于节流装置结构简单和具有其它一系列的优点,所以得到了广泛的应用。曾提出和研制成用于小管径流量测量的各种节流装置:圆锥形入口孔板、双斜孔板、四分之一圆喷咀、半圆喷咀等。其中双重孔板是最有发展前途的一种装置.由于目前在文献中对采用双重孔板
<正> 一、前言利用压差来测定流体流速或流量的方法,是目前工业检测中应用最多的方式之一,但对于以往的采用节流孔板、文丘里管及皮托管等的测定方式来说,在低流速范围的测定时会受到很大的限制。针对这一问题,美国某公司于最近研制成功了对配管内的低速流体进行流量测定的新型
<正> 一、引言在许多生产过程控制应用中,经常需要有一种灵活且可靠的方法来测量液体的比重(SG)。但当液体粘度很高或必需保持在高温下时,这些测量变得很困难。本文对这一需要提出一种良好的方法。这个方法是使一远距密封差压(DP)仪表能给出正比于液体密度的4～20mA 的信号。正确
<正> 一、引言自1964年以来,用电子技术综合研究所的麦氏真空计,对副标准电离规(VS—1)进行了校准。日本真空协会给日本配备了250多个校准了的规。选择 VS-1作为副标准规的主要理由,是因为规的灵敏度一直到可用麦氏真空计测量绝对压强的压强范围都是恒定的。近来,已对真空标准的国际比较进行过讨论和试验。为了促进国际真空标准的研
<正> 1.前言大多数用于计量学的迈克尔逊干涉仪(图1)是基于被测参量引起的光程差的变化而设计的。由于干涉光束的光程对机械、声音及湿度等干扰也很敏感,因此认为该系统具有内在干扰。用被动的方法来控制这些干扰十分有效,但是人们发现,在许多情况下,这种方法不可行。尽管主动的方法已用于稳定气体激光的频率及干涉仪的光程,本文所述
<正> 1.用法拉第效应测量磁场、电流在铅玻璃等磁性光学元件上入射穿过偏振片的直线偏振光,若在和光前进的同一方向加上磁场,则出射光的偏振面旋转角度θ。这种现象称作法拉第效应(参照图1)旋转角θ,用下式表示:θ=V_D·H.1.式中 V_D—费尔德常数;H—外加磁场的强度;1—磁场中材料的长度。
<正> 高阻计检定的主要标准文件是电子高阻计检定方法指南 No.318。根据文献[1],对测量上限为10~(10)Ω的 E6-3(MOM-4)型高阻计进行整机检定是使用成批生产的 P33、P4002及P407等型号的绕线电阻量器。当检定测量上限高于10~(10)Ω的高阻计时,一般常采用"有功"电阻量器。对量程为10~(11)～10~(15)Ω的高阻计,其
<正> 本文介绍的比较器及其辅助设备在测量单结热电偶转换误差时,重复性优于0.1×10~(-6)。比较器的原理图如图1所示。所有热电偶用同一电源供电,并直接比较它们的输出。假定热电偶的热响应一样,那么电源波动就好似热电偶输出中的共模信号,从而减少了电源波动的影响。参考热电偶(TCR)的输出馈送到分
<正> 本文所叙述的仪器可提供一个高稳定度、连续可调的电压或电流,它可用于校准直流及振簧式仪表,曲线记录仪和其他实验室仪器。它通过模仿10~(-11)～10~(-15)A 的离子电流信号来检验气体源质谱仪上的仪器。输出电压定期地用于调整曲线记录仪上的参数。在检验高水平的实验室标准时,仪器的输出电压为0～1.999V 及0～199.9mV ±1,精度<0.2%。电
<正> 一、引言同时测量铁氧体磁芯线圈的电感和 Q 值的方法已有报道。但在工厂里,只需测量电感。为了适宜这种需要,本文提出一种方法,其线路结构简单,准确度好,由于省去了谐振电路,因此就不需要变容二极管和调整电容,这样就能在短时间内进行测量。
<正> 为了保证交流电压测量的统一,必须考虑被测电压波形对电子电压表示值的影响。现有的交流电压计量器具的检定系统,以及电子电压表的检定方法和器具的标准都规定要用具有正弦波形的交流电压来进行校准和检定。因此,规定了在正弦电压的情况下使用和检定电压表的标准条件。然而,在上
<正> 一、前言集成电路(IC)的复杂性和多样性的迅速发展,对电子仪器和系统的制造厂提出了许多问题。在大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)的可靠性对仪器和系统的可靠性具有越来越重大的意义时,这类问题可归结为:对这些集成电路的选择和鉴定、保障无故障的集成电路投入生产、避免在保用期间
<正> 1.前言同轴线中频率直到1GHz 幅度接近1V 的正弦射频电压的精确测量可使用两种方法:(1)用精确确定了输入阻抗的一个功率计。从功率和阻抗的示值计算出功率计的输入电压。为了校准一个电压表,作为参考标准的功率计和被测电压表与对称输出的同轴 T 连接。(2)为测量射频电压由 SelBy 设计了
<正> 一、引言高效多层电介质镀膜现被广泛地用于各种领域。为评价它们的机械及化学性能设计了多位种方法。然而实际上光学性能只能根据测量具有代表性的参考样品(位于镀膜室中靠近基本部件处)来确定。通常使用仅能准确测定平面、薄、小型的样品透射比的工业双光束光谱光度计对参证样品进行测量。透镜的测量一般也是将小平面样品与标准金属镀膜比较实现
<正> 一、前言在本文中,讨论了以定量操作迅速、简便的离子电极法能直接分析硫酸根的硫酸根离子选择性电极的研制。离子选择性电极用于硫酸根离子的测定,主要是用铅电极的电位滴定法,通过直接的电极电位的测定的研究例子不多。Mohan 等作的关于用硫酸铅混合物的固态膜电极;Freiser,Bauman 等作的关于用三
<正> 一、原理1.电子自旋共振分析原理电子自旋共振(ESR)是探测和识别自由基的有效方法。磁场中一个不配对电子有两个能态 E_1和 E_2,能量差△E为;△E=E_2-E_1=μ_B·g·H式中μ_B 为玻尔磁子,H 为磁通密度,g 为波谱分裂因子。在热平衡状态,低能态 E_1的个数高于高能态 E_2的个数,因此只要驰豫机制
<正> 一、引言高能光子和电子辐射的剂量学现仍建立在电离室测量法的基础上,而电离室是按~(60)钴γ射线或2MV 韧致辐射的照射量在空气中进行校准的。水模体内水吸收剂量的值则应用转换因子而求得,主要的光子和电子的转换因子分别为 C_λ和 C_E。由于照射量基准在短期内不可能用吸收剂量基准替代,故必须对商业电离室